Полупроводниковые запоминающие устройства

Для хранения информации может быть использовано большое число различных технических решений: магнитные носители (диски), регистры, ЗУ на полупроводниковых приборах, оптические носители (CD- диски), в самолетах в «черных ящиках»- магнитные ленты, магнитная проволока ( не горит в отличии от пленки)
Полупроводниковые ЗУ используют при необходимости длительного хранения больших объемов информации.

                          Параметры ЗУ:

1. Статические :
   Емкость ЗУ – М- определяет максимально возможный объем хранимой в нем информации.
   Единицы измерения 1 бит=1 разряд двоичного кодового слова или const.
   1 бит = лог.0=лог.1
   Обычно информация = 1 биту храниться в 1 элементарном запоминающем элемента (ЭЗЭ).
   8-ми разрядное кодовое слово называется байт
   210=1024 бит= 1Кбит;
   220=1048576 бит = 1 Мбит;
   27=КБайт
   217=Кбайт
   Для определения структуры ЗУ используют понятие организация Nх4, где
   N- число кодовых слов
   L – длина (разрядность) кодовых слов.

   M=NхL
   Пример: Объем в 256 бит = 32х8=256х1=64х4

2. Динамические:
   2.1.ta = время выработки – временной интеравал между подачей на вход памяти заданного сигнала и получением на выходе данных , при условии, что все другие сигналы поданы
   2.2.tcy(a)WR – время цикла адреса в режиме записи. Минимальное время совпадения сигналов на  управление входа памяти, необходимо для надежной записи в нее информации.
   2.3.tsy(a)RD – время цикла адреса в режиме считывания

Т.О. чтобы считать информации требуется сначала найти ее местоположение . Это влияет на быстродействие ИС ЗУ.
   Для надежной работы ЗУ необходимое соблюдение определенных временных отношений между различными управляющим сигналами.

Классификация ЗУ

Вернутся к содержанию...